.: we theme :. .: we theme :. .: we theme :.

:::╬● دریافت کد چت روم برای وبلاگ شما●╬:::


Get your own Chat Box! Go Large!

بررسی اورکلاکینگ رم ۲۰۰۰ مگاهرتز - .: we theme :.
X
تبلیغات
رایتل

.: we theme :.

بهترین طراحی سایت و برنامه نویسی

بررسی اورکلاکینگ رم ۲۰۰۰ مگاهرتز

siliconpower02

سربازان دره سیلیکون

Silicon Power Xpower DDR3 2000MHz

سیلیکون پاور برند شناخته‌ شده‌ای در سطح جهانی است و به صورت اختصاصی به تولید محصولات مرتبط با حافظه‌ها فعال است. این محصولات از فلش درایوها تا هاردهای SSD و رم‌ها گسترده هستند. با این حال این شرکت را در سطح جهان بیشتر با فلش درایوهای آن می‌شناسند. این برند حدود یکی دو سال است که فعالیت خود را با داده‌پرداز رایانه متین در ایران آغاز کرده و حالا مدعی سهم بازار است.

یکی از مدل‌های جدید این برند از سری Xpower DDR3 است که برای فعالیت‌های اورکلاکینگ طراحی شده و از نظر فرکانس تراشه‌ها و همچنین سیستم خنک‌کننده دارای ویژگی‌های قابل توجهی است. در این گروه انواع فرکانس‌ها از ۱۶۰۰ تا ۲۱۳۳ دیده می‌شود و در مدل‌های دو و سه کانال بسته‌بندی می‌شوند. نکته قابل توجه در طراحی این ماژول‌ها روشی است که برای سیستم خنک‌کننده آن استفاده شده است. در این روش شیارهای مورب در بالای سینک قرار دارند و حرارت را با توجه به جریان هوا درون این شیارها دفع می‌کنند. جنس سینک گرمایی این رم از نوع آلومینیوم خالص است که ضریب هدایتی مناسبی دارد. این مساله باعث شد تا در طول بررسی‌ها که فرکانس افزایش زیادی داشت و به دنبال آن ولتاژ هم به آستانه ریسک رسیده بود میزان دمای رم در حد قابل قبولی باقی ماند. در بررسی‌هایی که روی این شکل طراحی انجام شده، مشخص شده کارایی بیشتری در مقابل سایر سینک‌ها دارد. سیلیکون پاور مدعی است این روش تا دو برابر بیشتر از طراحی استاندارد می‌تواند باعث دفع حرارت شود.

siliconpower03 ولتاژ این ماژول‌ها ۶۵/۱ ولت است که با توجه به فرکانس دو هزار مگاهرتزی آنها در حد مناسبی است. البته اغلب ماژول‌های بالای ۱۶۰۰ مگاهرتز از این ولتاژ استفاده می‌کنند که باعث می‌شود در فرکانس‌های بالا پایداری رم همچنان حفظ شود.

مورد دیگری که در رابطه با این ماژول‌ها می‌توان اشاره کرد بحث مدار چاپی آنها است که از ساختار هشت لایه‌ای استفاده می‌کند و از طریق فناوری fly-by در زمینه جانمایی و آدرس‌دهی داده‌ها، زمان تاخیر کاهش پیدا کرده است. از فناوری‌های دیگر در این ماژول‌ها On-DIE Termination (ODT) است که این مورد هم باعث کاهش خطا و کاهش سیگنال‌های بازگشتی در سطح حافظه‌ها می‌شود. ODT می‌تواند از طریق کاهش این سیگنال‌ها، کارایی رم را افزایش دهد.

این رم‌ها در یک کیت با دو ماژول دو گیگابایتی قرار دارند و فرکانس آنها نیز ۲۰۰۰ مگاهرتز است. در هر ماژول ۱۶ تراشه ۱۲۸ مگابایتی قرار گرفته که به صورت دو ردیف هشت‌تایی در دو طرف رم چیده‌ شده‌اند. زمان تاخیر این حافظه‌ها در فرکانس‌های زیر ۱۶۰۰ مگاهرتز ۸ است ولی در فرکانس‌های بالاتر زمان تاخیر آنها ۹ خواهد بود که این افزایش تاخیر نیز به دلیل رابطه مستقیم فرکانس و زمان تاخیر است.

بررسی

در بررسی‌هایی که روی این ماژول‌ها انجام شد در قدم اول فرکانس مبنای ۱۳۳۳ مگاهرتز را مورد آزمایش قرار دادیم که در این فرکانس سرعت خوانش اطلاعات در حدود ۶/۱۳ گیگابایت در ثانیه و سرعت نوشتن اطلاعات نیز ۷/۱۰گیگابایت بر ثانیه بود. در این فرکانس زمان کپی اطلاعات به ۴/۱۴ گیگابایت بر ثانیه رسید.

فرکانس بعدی ۱۶۰۰ مگاهرتز بود و در این فرکانس سرعت انتقال داده‌ها افزایش محسوسی داشت که این افزایش در زمینه خواندن و کپی اطلاعات بیشتر دیده می‌شود. سرعت خواندن اطلاعات به ۵/۱۴ گیگابایت در ثانیه و زمان کپی نیز به ۳/۱۵ گیگابایت در ثانیه رسید. این در حالی بود که میزان نوشتن اطلاعات در حد همان ۷/۱۰ گیگابایت در ثانیه باقی ماند. در فرکانس ۲۰۰۰ مگاهرتز این افزایش سرعت همچنان روند صعودی داشت، به طوری که خواندن اطلاعات به ۴/۱۷ گیگابایت در ثانیه رسید و سرعت کپی نیز در همین حدود و ۱/۱۷گیگابایت در ثانیه بود. سرعت نوشتن اطلاعات در فرکانس ۲۰۰۰مگاهرتز به ۵/۱۲ گیگابایت در ثانیه افزایش یافت. در این فرکانس زمان تاخیر روی ۹ تنظیم شد و ۹-۹-۹-۳۰ بود.

بعد از این فرکانس اورکلاک رم را ادامه دادیم و تا فرکانس ۲۱۳۶ مگاهرتز بدون تغییر در ولتاژ و از طریق تنظیم خودکار فرکانس افزایش پیدا کرد که در این فرکانس هم سرعت خوانش اطلاعات ۸/۱۷، سرعت نوشتن اطلاعات ۲/۱۳ و سرعت کپی اطلاعات ۷/۱۸ گیگابایت بر ثانیه بود. بعد از این فرکانس سیستم پایداری لازم را نداشت و در ۲۲۰۰ مگاهرتز در میانه تست‌ها با ناپایداری سیستم مواجه شدیم. با تغییر ولتاژ به ۸۶/۱ ولت این ناپایداری برطرف شد و جالب اینجا است که از این فرکانس به بعد دیگر نیازی به افزایش ولتاژ نبود و تا ۲۶۰۰ مگاهرتز از همین مقدار استفاده شد. با افزایش فرکانس مرجع و تنظیم فرکانس پردازنده و بخش‌های غیرهسته‌ای روی مقادیر نزدیک به فرکانس‌های اولیه خود توان اورکلاکینگ را روی رم متمرکز کردیم و در نهایت تا فرکانس ۲۶۰۰ مگاهرتز این مقدار را افزایش دادیم. در فرکانس ۲۶۰۰ مگاهرتز سرعت خوانش اطلاعات ۲/۱۸ گیگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن اطلاعات ۳/۱۵ گیگابایت بر ثانیه و سرعت کپی نیز ۴/۱۹ گیگابایت بر ثانیه بود. فرکانس ۲۶۰۰ مگاهرتز افزایشی ۳۰ درصدی نسبت به فرکانس اولیه این ماژول دارد و حتی امکان افزایش بیش از این مقدار نیز وجود داشت که در فرکانس ۲۶۳۰ مگاهرتز باز هم با ناپایداری سیستم روبرو شدیم. با توجه به اینکه از سیستم هوا خنک برای کاهش دما استفاده می‌کردیم، اورکلاک در این نقطه متوقف شد.

در پایان می‌توان گفت این ماژول‌ها با توجه به توانی که برای اورکلاکینگ نشان دادند، می‌توانند یکی از گزینه‌های برتر برای اورکلاکرها باشد هرچند که پایداری این ماژول‌ها در فرکانس‌های بالا نشان می‌دهد می‌توان روی عملکرد آنها در شرایط استرس حساب کرد. البته باید توجه داشته باشید ماژول‌هایی که از این فرکانس پشتیبانی می‌کنند قیمت‌های بالاتری نسبت به مدل‌های رایج در بازار دارند.

siliconpower01